是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA84M,11X11 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 27.94 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA84M,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 27.94 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7026L55GI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84 | |
IDT7026L55J | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026L55J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7026L55JB | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026L55JBG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7026L55JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7026L55JGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7026L55JI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7026L70GB | ETC |
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x16 Dual-Port SRAM | |
IDT7026S | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |