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IDT6167LA20EB

更新时间： 2024-11-11 21:10:35

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	65K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, CDFP20, 0.300 INCH, CERPACK-20

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IDT6167LA20EB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	0.300 INCH, CERPACK-20
针数：	20	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-GDFP-F20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL20,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.3368 mm	最大待机电流：	0.0002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	6.9215 mm
Base Number Matches：	1

IDT6167LA20EB 数据手册

IDT6167SA

IDT6167LA

CMOS STATIC RAM

16K (16K x 1-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

Access times as fast as 15ns are available. The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a standby

mode as long as CS remains HIGH. This capability provides

significant system-level power and cooling savings. The low-

power (LA) version also offers a battery backup data retention

capability where the circuit typically consumes only 1µW

operating off a 2V battery.

FEATURES:

• High-speed (equal access and cycle time)

— Military: 15/20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35ns (max.)

• Low power consumption

• Battery backup operation — 2V data retention voltage

(IDT6167LA only)

• Available in 20-pin CERDIP and Plastic DIP, 20-pin

CERPACK, 20-pin SOJ and 20-pin leadless chip carrier

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

All inputs and the output of the IDT6167 are TTL-compat-

ible and operate from a single 5V supply, thus simplifying

system designs.

TheIDT6167ispackagedinaspace-saving20-pin, 300mil

PlasticDIPorCERDIP,Plastic20-pin SOJ,20-pin CERPACK

and 20-pin leadless chip carrier, providing high board-level

packing densities.

• CMOS process virtually eliminates alpha particle soft-

error rates

• Separate data input and output

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

DESCRIPTION:

The lDT6167 is a 16,384-bit high-speed static RAM orga-

nized as 16K x 1. The part is fabricated using IDT’s high-

performance, high reliability CMOS technology.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

VCC

GND

16,384-BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODE

A13

DIN

DOUT

I/O CONTROL

CONTROL

LOGIC

2981 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1994

1994 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-1007/4

5.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IDT6167LA20P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT)
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