是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | FP-20 | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F20 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX1 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL20,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 2.3368 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6167LA20P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA20PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA20PG | IDT |
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Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 | |
IDT6167LA20SO | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA20SO8 | IDT |
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Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20 | |
IDT6167LA20Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA20Y8 | IDT |
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Standard SRAM, 16KX1, 20ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 | |
IDT6167LA20YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA25D | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA25DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |