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IDT6116SAE

更新时间: 2024-09-13 20:26:47
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 788K
描述
Standard SRAM, 2KX8, CMOS, CDFP24

IDT6116SAE 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT6116SAE 数据手册

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