是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, SOJ-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15.88 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ24,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116LA15YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA15YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, PDSO24 | |
IDT6116LA19D | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
IDT6116LA19EG | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDFP24, CERPACK-24 | |
IDT6116LA19F | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDFP24, FP-24 | |
IDT6116LA19L24 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116LA19L28G | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA19L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116LA19PG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
IDT6116LA19SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24 |