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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.21 |
| 最长访问时间： | 19 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 32.004 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116LA20EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
|
| IDT6116LA20L24 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 |
|
| IDT6116LA20L24B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 |
|
| IDT6116LA20L28 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT6116LA20L288 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT6116LA20L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT6116LA20L28B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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| IDT6116LA20L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT6116LA20L32B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT6116LA20L32B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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