是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | 0.300 INCH, CERPACK-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 19 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDFP-F24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15.748 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL24,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.286 mm |
最大待机电流: | 0.0002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 9.144 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116LA20L24 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116LA20L24B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116LA20L28 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA20L288 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA20L28B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA20L28B8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA20L32 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116LA20L32B | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT6116LA20L32B8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116LA20P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |