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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 9 weeks 6 days |
| 风险等级： | 2.25 | 其他特性： | PD-CASE |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 30 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 54 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 650 V | 最大反向电流： | 20 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDH06S60C | INFINEON |
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2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
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| IDH06S60CXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IDH06SG60C | INFINEON |
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3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDH06SG60CXKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, |
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| IDH06SG60CXKSA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, |
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| IDH08G120C5 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode |
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| IDH08G120C5_15 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode |
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| IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, TO |
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| IDH08G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDH08G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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