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IDH08S120AKSA1

更新时间： 2024-11-27 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 607K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, GREEN, PLASTIC, TO-220, 2 PIN

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IDH08S120AKSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.52
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：39 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IDH08S120AKSA1 数据手册

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IDH08S120  
thinQ!TM SiC Schottky Diode  
Features  
Product Summary  
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  
• Switching behavior benchmark  
VDC  
1200  
27
V
nC  
A
QC  
• No reverse recovery / No forward recovery  
• Temperature independent switching behavior  
• High surge current capability  
IF; TC< 130 °C  
7.5  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220-2  
• Optimized for high temperature operation  
• Lowest Figure of Merit QC/IF  
thinQ!TM Diode designed for fast switching applications like:  
• SMPS e.g.; CCM PFC  
• Motor Drives; Solar Applications; UPS  
Type  
Package  
Marking  
Pin 1  
Pin 2  
IDH08S120  
PG-TO220-2  
D08S120  
C
A
Maximum ratings  
Parameter  
Value  
7.5  
Symbol Conditions  
Unit  
I F  
T C<130 °C  
Continuous forward current  
A
I F,SM  
T C=25 °C, t p=10 ms  
T C=150 °C, t p=10 ms  
T C=25 °C, t p=10 µs  
T C=25 °C, t p=10 ms  
T C=150 °C, t p=10 ms  
T j=25 °C  
39  
Surge non-repetitive forward current,  
sine halfwave  
33  
I F,max  
Non-repetitive peak forward current  
160  
7
∫i2dt  
A2s  
i²t value  
5
VRRM  
dv/ dt  
Ptot  
Repetitive peak reverse voltage  
Diode dv/dt ruggedness  
1200  
50  
V
VR= 0….960 V  
V/ns  
W
T C=25 °C  
Power dissipation  
100  
-55 ... 175  
260  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Soldering temperature,  
wavesoldering only allowed at leads  
1.6mm (0.063 in.)  
from case for 10s  
T sold  
Mounting torque  
M3 and M3.5 screws  
60  
Mcm  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-20  
123456

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IDH08S120AKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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