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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AC |
| 包装说明： | R-PSFM-T2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2.15 V | JEDEC-95代码： | TO-220AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 23 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 69 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.14 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDH09G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDH09G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDH09SG60C | INFINEON |
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3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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| IDH09SG60CXKSA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 9A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, |
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| IDH10G120C5 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode |
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| IDH10G120C5_15 | INFINEON |
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Silicon Carbide Schottky Diode |
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| IDH10G65C5 | INFINEON |
获取价格 |
650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDH10G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDH10G65C6 | INFINEON |
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CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术 |
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| IDH10S120 | INFINEON |
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thinQ!TM SiC Schottky Diode |
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