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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 13 X 15 MM, 1.40 HEIGHT, FBGA-165 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 3.5 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX18 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 220 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ICY7C1362C-166BGXI | CYPRESS | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
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| ICY7C1362C-166BZI | CYPRESS | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
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| ICY7C1367B-166BGI | CYPRESS | 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
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| ICY7C1373C-100BGI | CYPRESS | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
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| ICY7C1373D-100BGI | CYPRESS | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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| ICY7C1373D-100BGXI | CYPRESS | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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