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ICT-18C

更新时间: 2024-09-18 22:05:07
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICT-18C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最小击穿电压:21.2 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:18 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ICT-18C 数据手册

 浏览型号ICT-18C的Datasheet PDF文件第2页 

ICT-18C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6369 MICROSEMI

完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
MPT-18C MICROSEMI

完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER

与ICT-18C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ICT-18CB LITTELFUSE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13
ICT-18CE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
ICT-18CT LITTELFUSE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13
ICT-18E3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
ICT-18T LITTELFUSE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13
ICT-203-SP122-TG 3M

获取价格

DIP20, IC SOCKET
ICT-203-SP122-TG30 3M

获取价格

DIP20, IC SOCKET
ICT-203-SP122-TT 3M

获取价格

DIP20, IC SOCKET
ICT-203-SP132-TG 3M

获取价格

DIP20, IC SOCKET
ICT-203-SP132-TG30 3M

获取价格

DIP20, IC SOCKET