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ICS2125M

更新时间: 2024-09-10 20:34:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, SOP-32

ICS2125M 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.26
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.4216 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.8194 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:7.3406 mm
Base Number Matches:1

ICS2125M 数据手册

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