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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 8 X 10 MM, TFBGA-48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8/2 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.000035 A |
| 最小待机电流： | 1.65 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.012 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IC62VV1008L-100BI | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008L-100BI | ISSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 |
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| IC62VV1008L-70B | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008L-70B | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 |
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| IC62VV1008L-70BI | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008L-70BI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 |
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| IC62VV1008LL | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008LL-100B | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008LL-100BI | ICSI |
获取价格 |
1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |
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| IC62VV1008LL-100BI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 |
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