是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 8 X 10 MM, TFBGA-48 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 1.8/2 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.000035 A |
最小待机电流: | 1.65 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IC62VV1008L-70BI | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008L-70BI | ISSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 | |
IC62VV1008LL | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008LL-100B | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008LL-100BI | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008LL-100BI | ISSI |
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Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48 | |
IC62VV1008LL-100D | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008LL-100D | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 100ns, CMOS, DIE | |
IC62VV1008LL-100DI | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM | |
IC62VV1008LL-70B | ICSI |
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1 M x 8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM |