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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | BGA-119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 4 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.5 mm |
| 最大待机电流： | 0.09 A | 最大压摆率： | 0.32 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IC61S25632D-133TQ | ICSI |
获取价格 |
8Mb SyncBurst Pipelined SRAM |
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| IC61S25632D-133TQ | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX32, 4ns, CMOS, PDSO100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100 |
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| IC61S25632D-133TQI | ICSI |
获取价格 |
8Mb SyncBurst Pipelined SRAM |
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| IC61S25632D-133TQI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, |
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| IC61S25632D-166B | ICSI |
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8Mb SyncBurst Pipelined SRAM |
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| IC61S25632D-166B | ISSI |
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Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA100, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-100 |
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| IC61S25632D-166BI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, |
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| IC61S25632D-166TQ | ICSI |
获取价格 |
8Mb SyncBurst Pipelined SRAM |
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| IC61S25632D-166TQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, |
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| IC61S25632D-166TQI | ICSI |
获取价格 |
8Mb SyncBurst Pipelined SRAM |
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