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IC61S25632D-166BI

更新时间： 2024-11-12 10:14:19
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 328K
描述
Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119,

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IC61S25632D-166BI 数据手册

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IC61S25632T/D IC61S25636T/D  
IC61S51218T/D  
Document Title  
8Mb SyncBurst Pipelined SRAM  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
0B  
Initial Draft  
September 24,2001  
August 13,2002  
1.Move the FT pin for user-configurable Flow  
throught or pipelineed operation, That pin can be  
NC or connected to VCC for pipelined operation.  
Refer to Pin configuration.  
2.Revise the power supply charaetoristics at page 12  
3.Resive the tKQ of 250 MHZ from 2.5ns to 3ns.  
4.Move the 100 MHZ speed grade.  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
SSR014-0B 08/13/2002  
1234567...22

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与IC61S25632D-166BI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IC61S25632D-166TQ ICSI

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 		8Mb SyncBurst Pipelined SRAM
IC61S25632D-166TQ ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100,
IC61S25632D-166TQI ICSI

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 		Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100,
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IC61S25632D-200BI ICSI

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IC61S25632D-200BI ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PBGA119,
IC61S25632D-200TQ ICSI

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 		8Mb SyncBurst Pipelined SRAM
IC61S25632D-200TQ ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100,

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