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IC42S16102-5BG

更新时间: 2024-02-25 02:23:38
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
78页 764K
描述
512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM

IC42S16102-5BG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:4.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
JESD-609代码:e3内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:50字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSOP50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC42S16102-5BG 数据手册

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IC42S16102  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
CLK  
CKE  
COMMAND  
DECODER  
&
CLOCK  
GENERATOR  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
MEMORY CELL  
ARRAY  
ROW  
ADDRESS  
BUFFER  
2048  
MODE  
REGISTER  
BANK 0  
11  
11  
A11  
DQM  
DATA IN  
BUFFER  
11  
SENSE AMP I/O GATE  
256  
16  
16  
A10  
8
SELF  
I/O 0-15  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
REFRESH  
CONTROLLER  
COLUMN DECODER  
REFRESH  
8
CONTROLLER  
256  
DATA OUT  
BUFFER  
SENSE AMP I/O GATE  
REFRESH  
COUNTER  
16  
16  
MEMORY CELL  
ARRAY  
Vcc/VccQ  
GND/GNDQ  
2048  
ROW  
ADDRESS  
BUFFER  
BANK 1  
ROW  
ADDRESS  
LATCH  
11  
11  
11  
S16BLK.eps  
4
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR042-0A 01/18/2005  

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