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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 143 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IC42S16102-7BIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16102-7T | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16102-7TG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16102-7TI | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16102-7TIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16160 | ICSI | 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM |
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