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IC41LV16105S-60T

更新时间: 2024-01-08 03:40:28
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 199K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

IC41LV16105S-60T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:0.400 INCH, TSOP2-50/44Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSOP44/50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:YES最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.145 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IC41LV16105S-60T 数据手册

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IC41C16105S  
IC41LV16105S  
ꢀUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
OE  
WE  
WE  
CONTROL  
LOGICS  
OE  
CONTROL  
LOGIC  
CAS  
CLOCK  
GENERATOR  
LCAS  
UCAS  
CAS  
WE  
DATA I/O BUS  
RAS  
CLOCK  
RAS  
GENERATOR  
COLUMN DECODERS  
SENSE AMPLIFIERS  
REFRESH  
COUNTER  
I/O0-I/O15  
MEMORY ARRAY  
1,048,576 x 16  
ADDRESS  
BUFFERS  
A0-A9  
2
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR011-0A 05/23/2001  

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