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IC41LV16100AS-50K

更新时间： 2024-02-19 16:42:16

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	232K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IC41LV16100AS-50K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-50/44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IC41C16100A/IC41C16100AS

IC41LV16100A/IC41LV16100AS

Document Title

1M x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

September 28,2001

Integrated Circuit Solution Inc.

DR030-0A 09/28/2001

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IC41LV16100AS-50T	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41LV16100AS-60K	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41LV16100AS-60T	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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