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IC41LV16100S-45T

更新时间: 2024-02-08 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 673K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

IC41LV16100S-45T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP44/50,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Is Samacsys:N
访问模式:EDO PAGE最长访问时间:45 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e3
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.19 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC41LV16100S-45T 数据手册

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IC41C16100S  
IC41LV16100S  
Document Title  
1M x 16 bits Dynamic RAM with EDO Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
0B  
0C  
0D  
Initial Draft  
June 5,2001  
Revise for typographic  
Add Pb-free package  
Change tCOH from 5ns to 4ns  
November 9,2001  
May 06,2004  
November 26,2004  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
DR010-0D 11/26/2004  

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