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IC41C16100S-45KI

更新时间： 2024-02-22 09:16:00

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	663K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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IC41C16100S-45KI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, SOJ-42	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100S-45KI 数据手册

IC41C16100S

IC41LV16100S

ELECTRICAL CHARACTERISTICS⁽¹⁾

(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)

Symbol Parameter

Test Condition

Speed Min. Max.

Unit

I^IL

Input Leakage Current

Any input 0V ≤ VIN ≤ Vcc

–5

2.4

—

µA

Other inputs not under test = 0V

IIO

Output Leakage Current

Output High Voltage Level

Output Low Voltage Level

Standby Current: TTL

Output is disabled (Hi-Z)

µA

0V ≤ VOUT ≤ Vcc

VOH

VOL

ICC1

IOH = –5.0 mA (5V)

—

0.4

IOH = –2.0 mA (3.3V)

IOL = 4.2 mA (5V)

IOL = 2.0 mA (3.3V)

RAS, LCAS, UCAS ≥ VIH Commerical 5V

—

3.3V

Extended

RAS, LCAS, UCAS ≥ VCC – 0.2V

3.3V

ICC2

ICC3

Standby Current: CMOS

—

3.3V

0.5

Operating Current:

RAS, LCAS, UCAS,

-45

-50

-60

—

190

160

145

Random Read/Write^(2,3,4)

Average Power Supply Current

Address Cycling, tRC = tRC (min.)

ICC4

ICC5

ICC6

Operating Current:

RAS = VIL, LCAS, UCAS,

-45

-50

-60

—

100

µA

EDO Page Mode^(2,3,4)

Cycling tPC = tPC (min.)

Average Power Supply Current

Refresh Current:

RAS Cycling, LCAS, UCAS ≥ VIH

-45

-50

-60

—

180

160

145

RAS-Only^(2,3)

tRC = tRC (min.)

Average Power Supply Current

Refresh Current:

RAS, LCAS, UCAS Cycling

-45

-50

-60

—

180

160

145

CBR^(2,3,5)

tRC = tRC (min.)

Average Power Supply Current

ICCS

Self Refresh Current

Self Refresh mode

—

300

Notes:

1. An initial pause of 200 µs is required after power-up followed by eight RAS refresh cycles (RAS-Only or CBR) before proper device

operation is assured. The eight RAS cycles wake-up should be repeated any time the tREF refresh requirement is exceeded.

2. Dependent on cycle rates.

3. Specified values are obtained with minimum cycle time and the output open.

4. Column-address is changed once each EDO page cycle.

5. Enables on-chip refresh and address counters.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR010-0D 11/26/2004

1...4 5 678 9 10...21

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