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IC41C16100S-60KG

更新时间： 2024-02-28 18:50:02

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	663K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-42

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IC41C16100S-60KG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ42,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
JESD-609代码：	e3	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100S

IC41LV16100S

Document Title

1M x 16 bits Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

June 5,2001

Revise for typographic

Add Pb-free package

Change t^COHfrom 5ns to 4ns

November 9,2001

May 06,2004

November 26,2004

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR010-0D 11/26/2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC41C16100S-60KI	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-60KIG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-60T	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-60TG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-60TI	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-60TIG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格