IC41C16100S-45TG

更新时间： 2024-01-08 07:28:58

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矽成 - ICSI		存储动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	673K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IC41C16100S-45TG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, TSOP44/50,.46,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100S

IC41LV16100S

Document Title

1M x 16 bits Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

June 5,2001

Revise for typographic

Add Pb-free package

Change t^COHfrom 5ns to 4ns

November 9,2001

May 06,2004

November 26,2004

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

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Integrated Circuit Solution Inc.

DR010-0D 11/26/2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC41C16100S-45TI	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-45TI	ISSI	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
IC41C16100S-45TIG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-45TIG	ISSI	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50/44	获取价格
IC41C16100S-50K	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-50KG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格