Datasheet > 存储 > DRAM> IC41C16100AS-60K

IC41C16100AS-60K

更新时间： 2024-01-19 10:43:02

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	232K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IC41C16100AS-60K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-50/44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100AS-60K 数据手册

浏览型号IC41C16100AS-60K的Datasheet PDF文件第10页

浏览型号IC41C16100AS-60K的Datasheet PDF文件第11页

浏览型号IC41C16100AS-60K的Datasheet PDF文件第12页

IC41C16100A/IC41C16100AS

IC41LV16100A/IC41LV16100AS

AC CHARACTERISTICS (Continued)^{(1,2,3,4,5,6)}

(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)

-50

-60

Symbol

Parameter

Min. Max. Min. Max. Units

t^OEH

OE Hold Time from WE during

—

READ-MODIFY-WRITE cycle⁽¹⁸⁾

tDS

Data-In Setup Time^{(15, 22)}

Data-In Hold Time^{(15, 22)}

—

tDH

tRWC

t^RWD

READ-MODIFY-WRITE Cycle Time

108

133

RAS to WE Delay Time during

READ-MODIFY-WRITE Cycle⁽¹⁴⁾

tCWD

tAWD

t^PC

CAS to WE Delay Time^{(14, 20)}

—

Column-Address to WE Delay Time⁽¹⁴⁾

EDO Page Mode READ or WRITE

Cycle Time⁽²⁴⁾

tRASP

tCPA

RAS Pulse Width in EDO Page Mode

Access Time from CAS Precharge⁽¹⁵⁾

—

100K

—

100K

tPRWC

EDO Page Mode READ-WRITE

—

Cycle Time⁽²⁴⁾

tCOH

tOFF

Data Output Hold after CAS LOW

—

Output Buffer Turn-Off Delay from

(13,15,19, 29)

CAS or RAS

tWHZ

tCSR

tCHR

tRPC

t^ORD

Output Disable Delay from WE

—

CAS Setup Time (CBR REFRESH)^{(30, 20)}

CAS Hold Time (CBR REFRESH)^{(30, 21)}

RAS to CAS Precharge Time

OE Setup Time prior to RAS during

HIDDEN REFRESH Cycle

tREF

Auto Refresh Period (1,024 Cycles)

Transition Time (Rise or Fall)^{(2, 3)}

—

AC TEST CONDITIONS

Output load:

Two TTL Loads and 50 pF (Vcc = 5.0V ±10%)

One TTL Load and 50 pF (Vcc = 3.3V ±10%)

Input timing reference levels: VIH = 2.4V, VIL = 0.8V (Vcc = 5.0V ±10%);

VIH = 2.0V, VIL = 0.8V (Vcc = 3.3V ±10%)

Output timing reference levels: VOH = 2.0V, VOL = 0.8V (Vcc = 5V ±10%, 3.3V ±10%)

Integrated Circuit Solution Inc.

DR030-0A 09/28/2001

1...6 7 8910 11 12...21

中文翻译

下载PDF

与IC41C16100AS-60K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IC41C16100AS-60T	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45K	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45K	ISSI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
IC41C16100S-45KG	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45KI	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45KI	ISSI	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
IC41C16100S-45KIG	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45T	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IC41C16100S-45TG	ICSI	获取价格	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

与IC41C16100AS-60K相关文章

晶闸管阳极与阴极之间加电压时控制极的电流流动分析
2024-06-05

7
探究MOS管沟道夹断后载流子传输机制及其电路设计影响
2024-06-05

7
光敏电阻的工作原理、作用及检测方法
2024-06-05

5
ENC28J60以太网控制器全面解析：特性、应用、引脚说明
2024-06-05

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IC41C16100AS-60K

IC41C16100AS-60K 技术参数

IC41C16100AS-60K 数据手册

与IC41C16100AS-60K相关器件

与IC41C16100AS-60K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IC41C16100AS-60K

IC41C16100AS-60K 技术参数

IC41C16100AS-60K 数据手册

与IC41C16100AS-60K相关器件

与IC41C16100AS-60K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？