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IC41C16100AS-60K

更新时间： 2024-02-17 04:41:56

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	232K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IC41C16100AS-60K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-50/44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100AS-60K 数据手册

浏览型号IC41C16100AS-60K的Datasheet PDF文件第10页

IC41C16100A/IC41C16100AS

IC41LV16100A/IC41LV16100AS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS⁽¹⁾

(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted.)

Symbol Parameter

Test Condition

Speed Min. Max.

Unit

I^IL

Input Leakage Current

Any input 0V ≤ VIN ≤ Vcc

Other inputs not under test = 0V

–5

2.4

—

µA

IIO

Output Leakage Current

Output High Voltage Level

Output Low Voltage Level

Standby Current: TTL

Output is disabled (Hi-Z)

0V ≤ VOUT ≤ Vcc

µA

VOH

VOL

ICC1

I^CC2

ICC3

IOH = –5.0 mA (5V)

IOH = –2.0 mA (3.3V)

—

0.4

IOL = 4.2 mA (5V)

IOL = 2.0 mA (3.3V)

RAS, LCAS, UCAS ≥ VIH Commerical 5V

—

3.3V

Standby Current: CMOS

RAS, LCAS, UCAS ≥ VCC – 0.2V

3.3V

—

0.5

OperatingCurrent:

RAS, LCAS, UCAS,

Address Cycling, tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

160

145

RandomRead/Write^(2,3,4)

Average Power Supply Current

ICC4

ICC5

ICC6

ICCS

OperatingCurrent:

RAS = VIL, LCAS, UCAS,

-50

-60

—

EDO Page Mode^(2,3,4)

Cycling tPC = tPC (min.)

Average Power Supply Current

Refresh Current:

RAS Cycling, LCAS, UCAS ≥ VIH

tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

160

145

RAS-Only^(2,3)

Average Power Supply Current

Refresh Current:

RAS, LCAS, UCAS Cycling

tRC = tRC (min.)

-50

-60

—

160

145

CBR^(2,3,5)

Average Power Supply Current

Self Refresh Current

Self Refresh mode

—

500

300

µA

3.3V

Notes:

1. An initial pause of 200 µs is required after power-up followed by eight RAS refresh cycles (RAS-Only or CBR) before proper device

operation is assured. The eight RAS cycles wake-up should be repeated any time the tREF refresh requirement is exceeded.

2. Dependent on cycle rates.

3. Specified values are obtained with minimum cycle time and the output open.

4. Column-address is changed once each EDO page cycle.

5. Enables on-chip refresh and address counters.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR030-0A 09/28/2001

1...4 5 678 9 10...21

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