Datasheet > IBM11M16735CB-60J

IBM11M16735CB-60J

更新时间： 2024-10-28 14:51:19

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	373K
描述
EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IBM11M16735CB-60J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	36
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1207959552 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	31.75 mm
最大待机电流：	0.018 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	2.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IBM11M16735CB-60J 数据手册

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IBM11M16735CB-60J的Datasheet PDF文件第7页

Discontinued (8/98 - last order; 12/98 last ship)

IBM11M16730CB16M

x 72 E13/11, 3.3V, Au.

IBM11M16735B

IBM11M16735C

16M x 72 DRAM Module

Features

• 168-Pin JEDEC-Standard 8-Byte Dual In-Line

Memory Module

• Optimized for ECC applications

• System Performance Beneﬁts:

• 16Mx72 Extended Data Out (EDO) Mode

DIMMS

- Buffered inputs (except RAS, Data)

- Reduced noise (32 V /V pins)

SS CC

- Buffered PDs

• Performance:

-50

-60

60ns

20ns

35ns

104ns

25ns

• EDO Mode, Read-Modify-Write Cycles

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS Access Time

CAS Access Time

Access Time From Address

Cycle Time

50ns

18ns

30ns

89ns

20ns

• Refresh Modes: RAS-Only, CBR and Hidden

Refresh

t_RC

• CAS before RAS Refresh / RAS only Refresh -

4096 cycles

t_HPC

EDO Mode Cycle Time

• Inputs and outputs are LVTTL compatible

• Single 3.3V, ± 0.3V Power Supply

• Gold contacts

• 12/12 or 13/11 addressing (Row/Column)

• Card size: 5.25" x 1.25" x 0.354" SOJ

5.25" x 1.25" x 0.157" TSOP

• DRAMS in SOJ or TSOP Package

Description

IBM11M16735B/C are industry-standard 168-pin

8-byte Dual In-Line Memory Modules (DIMMs) for

ECC applications which are organized as 16Mx72

high-speed memory arrays. The DIMMs use 18

16Mx4 EDO DRAMs in SOJ or TSOP packages.

The use of EDO DRAMs allows for a reduction in

Page Mode Cycle time from 40ns (Fast Page) to

20ns for 50ns DRAM modules.

Presence Detect (PD) and Identification Detect (ID)

bits provide information about the DIMM density,

addressing, performance and features. PD bits can

be dotted at the system level and activated for each

DIMM position using the PD enable (PDE) signal. ID

bits also allow detection of card features, and may

be dot-or’d at the system level to provide information

for the entire DIMM bank. For example, the system

will determine that ECC DIMMs are installed if PD8

is low (0). ID0 need not be sensed since both x72

and x80 ECC DIMMs will function in a x72 bank.

Improved system performance is provided by the

on-DIMM buffering of selected input signals. The

specified timings include all buffer, net, and skew

delays, which simplifies the memory subsystem

design analysis. The data and RAS signals are not

buffered, which preserves the DRAM access specifi-

cations of 50ns and 60ns.

All IBM 168-pin DIMMs provide a high-performance,

flexible 8-byte interface in a 5.25” long space-saving

footprint. Related products are the x64 non-parity

(5V and 3.3V) DIMMs and ECC DIMMs (5V and

3.3V).

Card Outline

(Back)

(Front)

10 11

94 95

40 41

124 125

168

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

50H8040.E22441D

Revised 4/98

Page 1 of 30

12 3 4 5 6 7...30

中文翻译

下载PDF

与IBM11M16735CB-60J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM11M1720B-60	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1720B-60J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1720B-70	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1720B-70J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1730B-60J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1730B-70J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1730BB-60J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1730BB-70J	ETC	获取价格	x72 Fast Page Mode DRAM Module
IBM11M1730BBA-60	IBM	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
IBM11M1730BBA-70	IBM	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

与IBM11M16735CB-60J相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IBM11M16735CB-60J

IBM11M16735CB-60J 技术参数

IBM11M16735CB-60J 数据手册

与IBM11M16735CB-60J相关器件

与IBM11M16735CB-60J相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IBM11M16735CB-60J

IBM11M16735CB-60J 技术参数

IBM11M16735CB-60J 数据手册

与IBM11M16735CB-60J相关器件

与IBM11M16735CB-60J相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？