HZS20NB1

更新时间： 2024-09-20 22:07:59

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瑞萨 - RENESAS		二极管齐纳二极管测试
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7页	57K
描述
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

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HZS20NB1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-34
包装说明：	MHD, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18.55 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	2.21%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

HZS-N Series

Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

REJ03G0185-0100Z

(Previous: ADE-208-124)

Rev.1.00

Mar.11.2004

Features

•

Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for stabilized

power supply, etc.

•

Wide spectrum from 1.88 V through 38.52 V of zener voltage provide flexible application.

Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.

Ordering Information

Type No.

Mark

Package Code

HZS-N Series

Type No.

MHD

Pin Arrangement

Type No.

Cathode band

1. Cathode

2. Anode

Rev.1.00, Mar.11.2004, page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HZS20NB1-E	RENESAS	获取价格	18.55V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, MHD, 2 PIN
HZS20NB1RY	RENESAS	获取价格	暂无描述
HZS20NB1TA	RENESAS	获取价格	0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN
HZS20NB1TA-E	RENESAS	获取价格	HZS20NB1TA-E
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HZS20NB1TD-E	RENESAS	获取价格	0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN
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HZS20NB2	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply
HZS20NB2TA-E	RENESAS	获取价格	HZS20NB2TA-E
HZS20NB2TAX	RENESAS	获取价格	暂无描述