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HYR164830G-840

更新时间： 2024-11-11 19:42:27

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	434K
描述
Rambus DRAM Module, 48MX16, CMOS, RIMM-184

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HYR164830G-840 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	,	针数：	84
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	805306368 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	50331648 words	字数代码：	48000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	48MX16
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYR164830G-840 数据手册

HYR16xx30/HYR18xx20G

Rambus RIMM Modules

(with 128/144 Mb RDRAMs)

Direct RDRAM RIMM Modules

Perliminary Information

Rev. 0.9

Overview

Form Factor

The Direct Rambus™ RIMM™ module is a general

purpose high-performance memory subsystem suitable

for use in a broad range of applications including

computer memory, personal computers, workstations,

and other applications where high bandwidth and low

latency are required.

The Rambus RIMM modules are offered in a 184-pad

1mm edge connector pad pitch form factor suitable for

either 184 or 168 contact RIMM connectors. The RIMM

module is suitable for desktop and other system appli-

cations. Figure 1 shows an eight device Rambus RIMM

module without heat spreader.

The 128 MB Direct Rambus RIMM module consists of

eight 128Mb/ 144Mb Direct Rambus DRAM (Direct

RDRAM™) devices. These are extremely high-speed

CMOS DRAMs organized as 8M words by 16 or 18

bits. The use of Rambus Signaling Level (RSL) tech-

nology permits 600MHz to 800MHz transfer rates while

using conventional system and board design technolo-

gies. Direct RDRAM devices are capable of sustained

data transfers at 1.25 ns per two bytes (10ns per

sixteen bytes).

Features

High speed 800, 711 & 600 MHz RDRAM storage

184 edge connector pads with 1mm pad spacing

Maximum module PCB size: 133.5mm x 34.9mm x

1.37mm (5.21” x 1.36” x 0.05”)

Each RDRAM has 32 banks, for a total of

256banks on each 128MB module

The RDRAM architecture enables the highest

sustained bandwidth for multiple, simultaneous,

randomly addressed, memory transactions. The sepa-

rate control and data buses with independent row and

column control yield over 95% bus efficiency. The

RDRAM's 32-bank architecture supports up to four

simultaneous transactions per device.

Gold plated edge connector pad contacts

Serial Presence Detect (SPD) support

Operates from a 2.5 volt supply (±5%)

Low power and powerdown self refresh modes

Separate Row and Column buses for higher effi-

ciency

SIEMENS

Last Modified on 7/13/99

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HYR166420G-840	INFINEON	获取价格	Direct RDRAM RIMM Modules (with 144 Mbit RDRAMs)
HYR166420G-845	INFINEON	获取价格	Direct RDRAM RIMM Modules (with 144 Mbit RDRAMs)
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