Datasheet > 存储 > DRAM> HYM64V1005GU-50

HYM64V1005GU-50

更新时间： 2024-01-24 02:34:33

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	77K
描述
3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYM64V1005GU-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYM64V1005GU-50 数据手册

3.3V 1M × 64-Bit EDO-DRAM Module

3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module

HYM64V1005GU-50/-60

HYM72V1005GU-50/-60

168pin unbuffered DIMM Module

with serial presence detect

• 168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module

for PC main memory applications

• 1 bank 1M x 64, 1M x 72 organisation

• Optimized for byte-write non-parity or ECC applications

• Extended Data Out (EDO)

• Performance:

-50

-60

tRAC

tCAC

tAA

RAS Access Time

CAS Access Time

Access Time from Address

Cycle Time

50 ns

13 ns

25 ns

84 ns

20 ns

60 ns

15 ns

30 ns

104 ns

25 ns

tRC

tHPC

EDO Mode Cycle Time

• Single +3.3 V ± 0.3 V Power Supply

• CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs and clocks are fully LV-TTL compatible

• Serial presence detects (optional)

• Utilizes four 1M × 16 -DRAMs in TSOPII-50/44

and two 1M x 4 - DRAMs in SOJ 26/20 packages

• 1024 refresh cycles / 16 ms with 10 / 10 addressing (Row / Column)

• Gold contact pad

• Card Size: 133,35mm x 25,40 mm x 5,30 mm

• This DRAM product module family is intended to be fully pin and architecture compatible

with the 168pin unbuffered SDRAM DIMM module family

Semiconductor Group

2.97

12 3 4 5 6 7...14

下载PDF

与HYM64V1005GU-50相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYM64V1005GU-60	INFINEON	3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module	获取价格
HYM64V1005GU-70	ETC	x64 EDO Page Mode DRAM Module	获取价格
HYM64V1605GU-50	INFINEON	3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module	获取价格
HYM64V1605GU-60	INFINEON	3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module	获取价格
HYM64V1605GU-70	ETC	x64 EDO Page Mode DRAM Module	获取价格
HYM64V1645GU-50	INFINEON	3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module	获取价格

与HYM64V1005GU-50相关文章

AT24C256芯片手册参数分析、引脚说明、读写程序示例
2024-05-28

3
LAN8720A的替代型号推荐、资料手册数据分析、特点介绍
2024-05-28

7
SS8550数据手册：应用场景、主要参数分析、特性分析
2024-05-28

8
UC3845全面解析：资料手册参数、引脚详解、维修技巧与替代型号推荐
2024-05-28

7

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYM64V1005GU-50

HYM64V1005GU-50 技术参数

HYM64V1005GU-50 数据手册

与HYM64V1005GU-50相关器件

与HYM64V1005GU-50相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYM64V1005GU-50

HYM64V1005GU-50 技术参数

HYM64V1005GU-50 数据手册

与HYM64V1005GU-50相关器件

与HYM64V1005GU-50相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？