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HYM64V1605GU-70

更新时间: 2024-02-12 10:05:42
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
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29页 1141K
描述
x64 EDO Page Mode DRAM Module

HYM64V1605GU-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.75
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH备用内存宽度:32
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.6 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYM64V1605GU-70 数据手册

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