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HYM64V2005GU-60

更新时间: 2024-01-09 12:28:13
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 82K
描述
3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module

HYM64V2005GU-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.73
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYM64V2005GU-60 数据手册

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3.3V 2M × 64-Bit EDO-DRAM Module  
3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module  
HYM64V2005GU-50/-60  
HYM72V2005GU-50/-60  
168pin unbuffered DIMM Module  
with serial presence detect  
168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual In-Line Memory Module  
for PC main memory applications  
1 bank 2M x 64, 2M x 72 organisation  
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications  
Extended Data Out (EDO)  
Performance:  
-50  
-60  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
CAS Access Time  
Access Time from Address  
Cycle Time  
50 ns  
13 ns  
25 ns  
84 ns  
20 ns  
60 ns  
15 ns  
30 ns  
104 ns  
25 ns  
tRC  
tHPC  
EDO Mode Cycle Time  
Single +3.3 V ± 0.3 V Power Supply  
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh  
Decoupling capacitors mounted on substrate  
All inputs, outputs and clocks are fully LV-TTL compatible  
Serial presence detects (optional)  
Utilizes 2M × 8 -DRAMs in SOJ packages  
2048 refresh cycles / 32 ms with 11 / 10 addressing (Row / Column)  
Gold contact pad  
Card Size: 133,35mm x 25,40 mm x 5,30 mm  
This DRAM product module family is intended to be fully pin and architecture compatible  
with the 168pin unbuffered SDRAM DIMM module family  
Semiconductor Group  
1
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