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HYB25L128800AC-8

更新时间： 2024-11-25 19:48:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
51页 401K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54

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HYB25L128800AC-8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：FBGA,
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PBGA-B54长度：9 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HYB25L128800AC-8 数据手册

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HYB/E 25L128800/160AC  
128-MBit Mobile RAM  
128-MBit Synchronous Low-Power DRAM in Chipsize Packages  
Preliminary Datasheet (Rev. 04/01)  
• Automatic and Controlled Precharge  
Command  
High Performance:  
-7.5 -8  
Units  
• Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8 and  
full page  
fCK,MAX  
133 125 MHz  
• Programmable Power Reduction Feature by  
partial array activation during Self-Refresh  
tCK3,MIN 7.5  
tAC3,MAX 5.4  
tCK2,MIN 10  
8
ns  
ns  
ns  
ns  
6
• Data Mask for byte control  
10  
6
• Auto Refresh (CBR)  
tAC2,MAX  
6
• Self Refresh with programmble refresh period  
• Power Down and Clock Suspend Mode  
• 8Mbit x 16 & 16Mbit x8 organisation  
• Random Column Address every CLK  
(1-N Rule)  
• VDD = 2.5V / VDDQ = 1.8V (2.5V tolerant)  
• Fully Synchronous to Positive Clock Edge  
• Four Banks controlled by BA0 & BA1  
• Programmable CAS Latency: 2, 3  
• 54-FBGA , with 9 x 6 ball array with 3  
depopulated rows, 9 x 8 mm  
• Operating Temperature Range  
Commerical ( 00 to 700C)  
• Programmable Wrap Sequence: Sequential  
or Interleave  
Extended ( -25oC to +85oC)  
• Deep Power Down Mode  
The HYB/E 25L128800/160AC Mobile RAMs are new generation of low power, four bank  
Synchronous DRAM’s organized as 4 banks × 2Mbit x16 and 4 banks x 4Mbit x 8 with additional  
features for mobile applications. These synchronous Mobile RAMs achieve high speed data  
transfer rates by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and then synchronizes  
the output data to a system clock. The chip is fabricated using the Infineon advanced process  
technology.  
The device adds new features to the industry standards set for synchronous DRAM products.  
Only partials of the memory array can be selected for Self-Refresh and the refresh period during  
Self-Refresh is programmable in 4 steps which drastically reduces the self refresh current,  
depending on the case temperature of the components in the system application. In addition a  
“Deep Power Down Mode” is available. Operating the four memory banks in an interleave fashion  
allows random access operation to occur at higher rate. A sequential and gapless data rate is  
possible depending on burst length, CAS latency and speed grade of the device. The device  
operates from a 2.5V power supply for the core and 1.8V for the bus interface. The Mobile RAM is  
housed in a FBGA “chip-size” package. The Mobile RAM is available in the commercial (00 to 700C)  
and Extended( -25oC to +85oC) temperature range  
INFINEON Technologies  
1
4.01  
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