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HYB25L256160AF-7.5

更新时间： 2024-02-26 21:19:30

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器
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BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM

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HYB25L256160AF-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.45	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3.3,2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HYB25L256160AF-7.5 数据手册

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Infineon Specialty DRAMs

M o b i l e - R A M

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HYB25L256160AF-7.5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HYB25L256160AC-7.5	QIMONDA	功能相似	256-MBit Mobile-RAM
HYB25L256160AC-7.5	INFINEON	功能相似	BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM

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