是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最大时钟频率 (fCLK): | 600 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B54 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 54 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
组织: | 4MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA54,8X9,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 电源: | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | DRAMs |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25R64160C-845 | INFINEON |
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Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA54 | |
HYB25R64180C653 | INFINEON |
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DRAM | |
HYB25R64180C840 | INFINEON |
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DRAM | |
HYB25R64180C845 | INFINEON |
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DRAM | |
HYB25R72180C-645 | ETC |
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RAMBUS DRAM | |
HYB25R72180C-745 | ETC |
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RAMBUS DRAM | |
HYB25R72180C-750 | ETC |
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RAMBUS DRAM | |
HYB25S128160TC-3 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM | |
HYB25S128160TC-37 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM | |
HYB25S128160TC-5 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM |