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HYB25R64160C-653

更新时间: 2024-11-26 10:21:23
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英飞凌 - INFINEON 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
63页 5381K
描述
Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA54

HYB25R64160C-653 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最大时钟频率 (fCLK):600 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B54JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:16端子数量:54
字数:4194304 words字数代码:4000000
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA54,8X9,40/32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified子类别:DRAMs
表面贴装:YES技术:CMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

HYB25R64160C-653 数据手册

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