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HY67V32100TQ-9

更新时间: 2024-02-07 23:24:46
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 396K
描述
Standard SRAM, 32KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

HY67V32100TQ-9 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:9 nsJESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX32输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

HY67V32100TQ-9 数据手册

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