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HY67V32200ABG-7

更新时间: 2024-02-23 14:48:51
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Standard SRAM, 64KX32, CMOS, PBGA119, BGA-119

HY67V32200ABG-7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,针数:119
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e1
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:119
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX32
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

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