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HY6V22F-33

更新时间： 2024-01-18 12:42:03

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
50页	1543K
描述
DDR DRAM, 4MX32, 0.9ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, FBGA-144

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HY6V22F-33 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA144,12X12,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.9 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY6V22F

128M(4Mx32) DDR SDRAM

HY6V22F

Revision 0.5

June 2001

This document is a general product description and is subject to change without notice.

Rev. 0.5 / June. 01

12 3 4 5 6 7...50

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY70R102B	HUAYI	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
HY70R102D	HUAYI	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
HY70R102P	HUAYI	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
HY70R102U	HUAYI	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
HY70R751B	HUAYI	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
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