是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.1262 mm |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 52 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC52,.8SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 3.1 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.1 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 19.1262 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY67V18110C-30 | HYNIX |
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Cache SRAM, 64KX18, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
HY67V18111C-20 | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM | |
HY67V18111C-25 | HYNIX |
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Cache SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
HY67V18111C-30 | HYNIX |
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Cache SRAM, 64KX18, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
HY67V32100AQ-4.5 | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
HY67V32100AQ-5 | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
HY67V32100AQ-5.5 | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
HY67V32100ATQ-4.5 | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
HY67V32100ATQ-5 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
HY67V32100TQ-10 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |