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HY67V18110C-25

更新时间: 2024-11-07 20:20:51
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 279K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

HY67V18110C-25 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQ针数:52
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0长度:19.1262 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:52
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:3.1 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):3.5 V最小供电电压 (Vsup):3.1 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

HY67V18110C-25 数据手册

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