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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 1179648 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 3.1 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.1 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY67V18101C-17 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
|
| HY67V18101C-7 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
|
| HY67V18110C-20 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| HY67V18110C-25 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| HY67V18110C-30 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| HY67V18111C-20 | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
|
| HY67V18111C-25 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| HY67V18111C-30 | HYNIX |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| HY67V32100AQ-4.5 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
|
| HY67V32100AQ-5 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
|
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