是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 52 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 3.1 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.1 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 19.1262 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY67V16110C-30 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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HY67V16111C-20 | ETC |
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x16 Fast Synchronous SRAM |
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HY67V16111C-25 | ETC |
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x16 Fast Synchronous SRAM |
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HY67V16111C-30 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Synchronous SRAM |
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HY67V161610D | HYNIX |
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2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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HY67V161610DTC | HYNIX |
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2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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HY67V161610DTC-10 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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HY67V161610DTC-5 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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HY67V161610DTC-55 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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HY67V161610DTC-6 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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