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HY62WT08081E-DG85C

更新时间: 2024-01-20 06:33:38
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 295K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

HY62WT08081E-DG85C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.47针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:18.39 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:SRAM STD
内存宽度:8负电源额定电压:-888 V
功能数量:1端口数量:1, (NON-MUXED)
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.47
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
反向引出线:NO座面最大高度:2.794 mm
最大待机电流:0.000005 A最小待机电流:2 V
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.69 mmBase Number Matches:1

HY62WT08081E-DG85C 数据手册

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