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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ44,.44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 17 ns | 备用内存宽度： | 16 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 28.575 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ44,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.775 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY6316100ALJ-20 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |
|
| HY6316100ALJ-25 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |
|
| HY6316100ALR-15 | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
|
| HY6316100ALR-17 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 17ns, CMOS, PDSO44 |
|
| HY6316100ALR-20 | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
|
| HY6316100ALR2-15 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| HY6316100ALR2-20 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| HY6316100ALR-25 | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
|
| HY6316100ALT-15 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44 |
|
| HY6316100ALT-17 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 17ns, CMOS, PDSO44 |
|
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