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HY6316100AJ-25

更新时间: 2024-02-28 18:52:49
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 206K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44

HY6316100AJ-25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ44,.44
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:25 ns备用内存宽度:16
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0长度:28.575 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY6316100AJ-25 数据手册

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