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HY62WT08081E-DT70C

更新时间: 2024-01-27 07:38:48
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 295K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

HY62WT08081E-DT70C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.81
最长访问时间:70 ns其他特性:IT ALSO OPERATES FROM 4.5 TO 5.5V
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e6长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:SRAM STD
内存宽度:8负电源额定电压:-888 V
功能数量:1端口数量:1, (NON-MUXED)
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
反向引出线:NO座面最大高度:1.22 mm
最大待机电流:0.000005 A最小待机电流:2 V
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62WT08081E-DT70C 数据手册

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