生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | IT ALSO OPERATES FROM 4.5 TO 5.5V |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | SRAM STD |
内存宽度: | 8 | 负电源额定电压: | -888 V |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1, (NON-MUXED) |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | NO | 座面最大高度: | 1.22 mm |
最大待机电流: | 0.000005 A | 最小待机电流: | 2 V |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62WT08081E-DTC | HYNIX |
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HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
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HY62WT08081E-DTE | HYNIX |
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HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
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HY62WT08081E-DTI | HYNIX |
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HY62WT08081E Series 32Kx8bit CMOS SRAM |
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HY6300 | ETC |
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Converter IC |
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HY6316100AJ-15 | ETC |
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x16 SRAM |
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HY6316100AJ-17 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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HY6316100AJ-20 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |
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HY6316100AJ-25 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |
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HY6316100ALJ-15 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 |
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HY6316100ALJ-17 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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