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HY62V8200LR1-70 PDF预览

HY62V8200LR1-70

更新时间： 2024-02-23 05:49:32
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 161K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32

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HY62V8200LR1-70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1-R,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e6长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1-R封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：8 mmBase Number Matches：1

HY62V8200LR1-70 数据手册

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HY62V8200-(I)/HY62U8200-(I) Series  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Vcc = 3.3V±10%/3.0V±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal)/ -40°C to 85°C (E.T.), unless otherwise specified  
Sym.  
ILI  
ILO  
Parameter  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Test Condition  
Vss < VIN < Vcc  
Vss < VOUT < Vcc, /CS1 = VIH or  
CS2 = VIL or /OE = VIH or /WE = VIL  
/CS1 = VIL, CS2 = VIH,  
Min. Typ. Max. Unit  
-1  
-1  
-
-
1
1
uA  
uA  
Icc  
Operating Power Supply  
Current  
-
-
5
mA  
VIN = VIH or VIL, II/O = 0mA  
ICC1  
Average Operating  
Current  
/CS1 = VIL CS2 = VIH,  
Min Duty Cycle = 100%,  
II/O = 0mA  
70ns  
85ns  
100ns  
-
-
-
-
-
-
-
-
60  
50  
50  
0.5  
mA  
mA  
mA  
mA  
ISB  
TTL Standby Current  
(TTL Input)  
/CS1 = VIH or CS2 = VIL  
ISB1  
Standby HY62V8200  
Current  
/CS1 > Vcc - 0.2V  
CS2 > 0.2V or  
L
LL  
L
LL  
L
LL  
L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50  
15  
50  
20  
50  
15  
50  
20  
0.4  
-
uA  
uA  
uA  
uA  
uA  
uA  
uA  
uA  
V
(CMOS  
Input)  
HY62V8200-I  
HY62U8200  
HY62U8200-I  
CS2 > Vcc - 0.2V  
LL  
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 2.1mA  
IOH = -1mA  
-
2.2  
V
Note : Typical values are at Vcc = 3.3V/3.0V, TA = 25°C  
AC CHARACTERISTICS  
Vcc = 3.3V±10%/3.0V±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal)/ -40°C to 85°C (E.T.), unless otherwise specified  
-70  
-85  
-10  
#
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max. Min. Max. Min. Max.  
READ CYCLE  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC  
tAA  
tACS  
tOE  
tCLZ  
tOLZ  
tCHZ  
tOHZ  
tOH  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output in Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Deselection to Output in High Z  
Out Disable to Output in High Z  
Output Hold from Address Change  
70  
-
-
-
10  
5
0
0
15  
-
85  
-
-
-
10  
5
0
0
15  
-
100  
-
-
-
10  
5
0
0
15  
-
100  
100  
50  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
70  
70  
40  
-
85  
85  
45  
-
-
-
-
20  
20  
-
25  
25  
-
30  
30  
-
WRITE CYCLE  
10 tWC  
11 tCW  
12 tAW  
13 tAS  
14 tWP  
15 tWR  
16 tWHZ  
17 tDW  
18 tDH  
19 tOW  
Write Cycle Time  
70  
60  
60  
0
50  
0
0
35  
0
-
-
-
-
-
-
20  
-
-
-
85  
70  
70  
0
60  
0
0
35  
0
-
-
-
-
-
-
25  
-
-
-
100  
80  
80  
0
70  
0
0
40  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Selection to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
Write Recovery Time  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Active from End of Write  
5
5
5
Rev.06 /Jan.99  
4
1234567...11

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与HY62V8200LR1-70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY62V8200LR1-85 HYNIX Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32

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