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HY62V8200LR1-70

更新时间： 2024-01-07 00:09:06

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海力士 - HYNIX		ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	161K
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32

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HY62V8200LR1-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1-R,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

HY62V8200LR1-70 数据手册

HY62V8200-(I)/HY62U8200-(I) Series

AC TEST CONDITIONS

TA = 0°C to 70°C (Normal) / -40°C to 85°C (E.T.), unless otherwise specified

PARAMETER Value

Input Pulse Level 0.4V to 2.2V

Input Rise and Fall Time

Input and Output Timing Reference Level

Output Load

5ns

1.5V

CL = 100pF + 1TTL Load

CL* = 30pF + 1TTL Load

Note

* : Test load is 30pF for 70ns device.

AC TEST LOADS

TTL

CL(1)

Note : 1 Including jig and scope capacitance

CAPACITANCE

(Temp = 25°C, f= 1.0MHz)

Symbol

CIN

COUT

Parameter

Input Capacitance

Output Capacitance

Condition

VIN = 0V

VI/O = 0V

Max.

Unit

Note : These parameters are sampled and not 100% tested

Rev.06 /Jan.99

1 2 3 456 7 8...11

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