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HY62V8400ALLG-E

更新时间： 2024-02-23 16:43:44

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	179K
描述
512K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM

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HY62V8400ALLG-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
Base Number Matches：	1

HY62V8400ALLG-E 数据手册

HY62V8400A Series

512Kx8bit CMOS SRAM

Document Title

512K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Final

Revision History Insert

Revised

Jul.06.2000

- Improved standby current

Isb1 : 30uA ¡ 2æ0uA

Revised

Aug.04.2000

Dec.04.2000

Final

- Change Iccdr Value : 15uA => 20uA

Marking Information Add

Revised

E.T (-25~85°C), I.T (-40~85°C) Part Insert

AC Test Condition Add : 5pF Test Load

VIH max : Vcc + 0.2V => Vcc + 0.3V

VIL min : - 0.2V => - 0.3V

Changed Logo

Apr.30.2001

Final

HYUNDAI -> hynix

Marking Information Change

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 06 / Apr. 2001

Hynix Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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