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HY62V8400ALT2-10I

更新时间: 2024-01-22 21:13:22
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 297K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32

HY62V8400ALT2-10I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e6长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY62V8400ALT2-10I 数据手册

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